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长鑫存储取得晶体管及其形成方法、半导体器件专利改善晶体管的短

时间:2024-01-19 09:25 来源:未知 作者:admin 点击:

  专利摘要显示,本发明提供了一种晶体管及其形成方法、半导体器件。通过将栅极结构部分偏移至凹槽中,以使栅极结构从衬底的表面上进一步延伸至衬底中,从而可形成与栅极结构的边界形貌相对应的曲折形导电沟道。与传统的具有直线形导电沟道的平面型晶体管相比,本发明中的晶体管能够在尺寸与传统的平面型晶体管的尺寸相同的情况下,增加导电沟道的沟道长度,以改善晶体管的短沟道效应,进而有利于实现晶体管尺寸的缩减和提高晶体管的排布密集度。调酒器变速齿轮包括最小间隙等于零弹性联接棘轮调整斜块